714
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 1 | ||
| Нашр этилган сана | 26/06/2019 | ||
| Саҳифалар сони | 76 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 3 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 37-42 | 201 | 0 |
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 50-55 | 481 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 56-61 | 374 | 0 |
|
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 62-67 | 501 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 68-75 | 565 | 0 |