747

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2019, том 1, выпуск 6
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 1
Нашр этилган сана 28/10/2020
Саҳифалар сони 78
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 6
Умумий сони 78
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 9-14 425 0

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 337 0

DEVELOPMENT OF PHOTOTHERMOELECTRIC CONVERTERS AND RESEARCH OF THEIR DESIGN AND OPERATIONAL FEATURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 21-25 347 0

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 26-33 462 0

МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ НАГРУЗОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-40 418 0