755

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2019, том 1, выпуск 6
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 1
Нашр этилган сана 28/10/2020
Саҳифалар сони 78
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 6
Умумий сони 78
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

APPLICATION OF PHOTOLUMINESCENT ANALYSIS TO CONTROL NANOPOWDERS SINC SELENIDE AND ZINC OXIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 41-44 360 0

EFFECT OF TEMPERATURE ANNEALING ON THE EFFICIENCY OF NICKEL-DOPED SILICON SOLAR CELLS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 45-52 311 0

СОЗДАНИЕ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК С ПРИМЕНЕНИЕМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 53-61 149 0

ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 62-70 386 0

ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ  - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 71-77 450 0