logo
calendar11 Aprel 2022
view58
Основной язык:Русский

СПЕКТРАЛЬНЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРЕХБАРЬЕРНЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБЫ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ

Область науки:
pdf

6253b076b1123.pdf

PDF

Наука инновационое развитие

Наука инновационое развитие

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В работе приведены способы получения трехбарьерных фотодиодных структур на основе полупроводниковых соединений АIIIВV и АIIВIV, их технологические этапы, а также физические свойства и технологические характеристики. Механизм токопереноса в трехбарьерной фотодиодной Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs:O-Ag- структуре определяется генерационными процессами с участием примесных уровней и захватом электронов примесными центрами, а также генерацией неосновных носителей в области объемного заряда запираемых барьеров. Трехбарьерные фотодиодные Au-рAlGaInAs-nGaAs-Agструктуры основаны на варьировании количества индия в гетерослое в зависимости от его функционального назначения.

АВТОРЫ

L.Zoirova

Navoi davlat konchilik instituti

F.Xashimova

Navoi davlat konchilik instituti

Теги

# концентрация# concentration# гетеропереход# подложка# substrate# пленка# таглик# heterojunction# tape# арсенид галлия# уч тўсиқли фотодиод# яримўтказгичли аралашмалар# технологик хусусиятлар галлий ар# гетероген қатлам# гетероген ўтиш# трехбарьерный фотодиод# полупроводниковые примеси# технологические свойства# гетерослой# three barrier photodiode# semiconductor admixture# technological characteristics# arsenide gallium# heterolayer

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0094/A0422-0040

DOI:

Недоступно

Список литературы

Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Вестник Томского государственного университета. – Томск, 2005. –№ 1. – С. 121-128.

Аверин С.В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером // ЖТФ. – СПб., 2004. – Т. 74. – № 6. – С.51-56.

Karimov A.V., Karimova D.A. Three-junction Au/AlGaAs(n)-GaAs(p): Agphotodiode// Materials Science in Semiconductor Processing. – February-June 2003. – Vol. 6. – Issues 1-3. – Pр. 137-142.

Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – № 5. – С. 674-679.

Корольков В.И., Рожков А.В., Петропавловская Л.А. Высоковольтные арсенидгаллиевые диоды с субнаносекундными временами восстановления блокируюшего напряжения // Письма в ЖТФ. – СПб., 2001. – Т. 27. – № 17. – С. 46-50.

Атабаев И.Г. Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-pSiGe, Au-nSiGe / Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Хажиев М.У., Пак В., Салиев Т.М. // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – Вып. 5. – С. 631-635.

Ёдгорова Д.М. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений АIIIВV / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Гиясова Ф.А., Саидова Р.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2007. – № 3. – С. 56-58.