21

Ushbu maqolada fizika fanini oʻqitishda, fizika fani laboratoriya ishlarida yarimoʻtkazgichli asboblarning ta’qiqlangan zona kengligi tushunchasi haqida ma’lumotlar yoritilgan.

  • Название журналаADPI Ilmiy xabarnomasi
  • Номер выпуска3
  • Количество просмотров 21
  • Количество прочтений 21
  • Дата публикации 05-09-2023
  • Язык статьиO'zbek
  • Страницы89-94
Ўзбек

Ushbu maqolada fizika fanini oʻqitishda, fizika fani laboratoriya ishlarida yarimoʻtkazgichli asboblarning ta’qiqlangan zona kengligi tushunchasi haqida ma’lumotlar yoritilgan.

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Aslonov X.S. o'qituvchi Andijon davlat pedagogika instituti
№ Название ссылки
1 1. S.Zaynobiddinov, Sh.Yoʻlchiyev, D.Nazirov, M.Nosirov. Yarimoʻtkazgichlarda atomlar diffuziyasi. Toshkent 2012. 5-6 s
2 2. Physical Models for Semiconductor Device Simulation. Andreas Schenk pp. 4-5
3 3. D.B.Klaassen, J.W.Slotboom, and H.C. de Graaff. Unified apparent bandgap narrowing in n- and p-type silicon” Solid State Electron, vol. 35, no. 2, pp. 125–129, 1992.
4 4. S.C. Jain and D.J. Roulston, “A simple expression for band gap narrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSi1−x strained layers,” Solid-State Electronics, vol. 34, no. 5, pp. 453–465, 1991
В ожидании