Установлено, что диффузия примесных атомов галлия и фосфора из газовой фазы в кремний обеспечивает не только компенсацию, но и частичное взаимодействие этих атомов между собой. Спектр образцов с бинарными соединениями GaPполученный на сканирующем электронном микроскопе показал, что атомы галлия и фосфора присутствуют на поверхности и приповерхности кремния после диффузии. Исследование концентрационного распределения носителей заряда по глубине показывает, что при совместной диффузии растворимость атомов галлия в кремнии увеличивается на один порядок. При этом подвижность носителей заряда (электронов) уменьшалась в 3÷4 раза. На основе полученных данных определены концентрация (~1019см-3) бинарных соединений Ga-P+ и энергия химической связи (~0,62 eV). Полученные результаты могут быть связаны с электростатическим взаимодействием ионов галлия и фосфора при диффузии, из-за которого изменяется концентрационное распределение примесей, а также образуются квазинейтральные бинарные соединении Ga-P+ в решетке кремния
Установлено, что диффузия примесных атомов галлия и фосфора из газовой фазы в кремний обеспечивает не только компенсацию, но и частичное взаимодействие этих атомов между собой. Спектр образцов с бинарными соединениями GaPполученный на сканирующем электронном микроскопе показал, что атомы галлия и фосфора присутствуют на поверхности и приповерхности кремния после диффузии. Исследование концентрационного распределения носителей заряда по глубине показывает, что при совместной диффузии растворимость атомов галлия в кремнии увеличивается на один порядок. При этом подвижность носителей заряда (электронов) уменьшалась в 3÷4 раза. На основе полученных данных определены концентрация (~1019см-3) бинарных соединений Ga-P+ и энергия химической связи (~0,62 eV). Полученные результаты могут быть связаны с электростатическим взаимодействием ионов галлия и фосфора при диффузии, из-за которого изменяется концентрационное распределение примесей, а также образуются квазинейтральные бинарные соединении Ga-P+ в решетке кремния
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | [1]Chen K., Kapadia R., Harker, A., Desai S. Direct growth of single-crystalline III–Vsemiconductors on amorphous substrates. Nature communications, 2016, vol. 7, 10502. doi: 10.1038/ncomms10502.[2]Бахадирханов М.К., ИсамовС.Б. Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния.Журнал технической физики,2021, т. 91, No 11, с. 1678. [3]Adachi S. Properties of Group−IV, III−V and II−VI Semiconductors, Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2005. [4]Бахадырханов М.К., Мавлянов А.Ш., Содиков, У.Х., Хаккулов М.К. Кремний с бинарными элементарными ячейками как новый класс материалов для будущей фотоэнергетики, Гелиотехника, 2015, No 4, с. 28.[5]Уваров А.В., Баранов А.И., Вячеславова Е.А., Калюжный Н.А. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения.Письма в ЖТФ, 2021, т. 47, No 14, с. 51. doi: 10.21883/PJTF.2021.14.51189.18781 [6]Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B.,Kenzhaev Z.T. New materials for photovoltaicsand optoelectronics based on silicon with binary nanoclusters of impurity atoms with controllable parameters. Euroasian J. Semicond. Sci. Engineering, 2020, vol. 2, no. 5, p. 9.[7]Zikrillayev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev Kh.S., Norqulov N., Tachilin S.A. Diffuzion of Phosphours and Gallium from a Deposited Layer of Gallium Phosphide into Silicon. Physics of the Solid State, 2022, vol. 64, no.11, pp. 587-594. |