|
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГЕСКИХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ (GAAS1-ΔBIΔ)1-X-Y(GE2)X(ZNSE)Y, МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z., Saidov A.S., Boboyev A.Y., Usmonov J.N., Yo'lchiyev S.X. |
Rus |
1313 |
1255 |
|
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z., Boboyev A.Y., Usmonov J.N., Yo'lchiyev S.X., Mansurov X.J. |
Rus |
1590 |
1522 |
|
ИННОВАЦИОННЫЕ ПУТИ РАЗВИТИЯ МЕЖДУНАРОДНОГО СОТРУДНИЧЕСТВА УНИВЕРСИТЕТОВ ФЕРГАНСКОЙ ДОЛИНЫ
Илмий хабарнома
|
Aliyev R.U., Zaynobidinov S.Z., Yuldashev A.S. |
Rus |
1024 |
963 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ - РАДИАЦИИ НА ВРЕМЯ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ТЕРМО-ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z., Kurbanov A.O. |
Rus |
1302 |
1242 |
|
ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ N-(GAAS) – Р-(GAAS)1-X-Y(ZNSE)X(GE2)Y ГЕТЕРОСТРУКТУР
Илмий хабарнома
|
Zaynobidinov S.Z., Saidov A.S., Boboyev A.Y., Akbarov A.J. |
O'zbek |
1251 |
1191 |
|
ДИЭЛЕКТРИК СИНГДИРУВЧАНЛИКНИНГ ЧАСТОТАГА БОҒЛИҚЛИГИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Aliev R.M., Zaynobidinov S.Z., Yuldasheva N.., G'ulomov J.. |
O'zbek |
777 |
678 |
|
ИССЛЕДОВАНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ С ПОМОЩЬЮ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ И ЕГО МОДИФИКАЦИИ.
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Zaynobidinov S.Z., Babakhodjaev U.S., Nabiyev A.B. |
Rus |
701 |
599 |