| Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
|---|---|---|---|---|
| СОЗДАНИЕ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p –CdTe–ZnSeC ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Otajonov S.M., Juraev N.M., Khalilov M.M. |
Rus | 343 | |
| УПРАВЛЕНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdTe-SiO2-Si-Al С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» |
Otajonov S.M., Alimov N.., Movlonov P.., Botirov Q.. |
Rus | 281 | 187 |