859
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 2 | ||
| Дата выпуска | 25/02/2020 | ||
| Страницы | 72 | ||
| Номер выпуска в этом году | 1 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-22 | 625 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 17-27 | 541 | 0 |
|
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 23-30 | 511 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-39 | 524 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 34-42 | 576 | 0 |