860
Издатель
Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электронная почта: ispm_uz@mail.ru
| Название | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Номер тома | 2 | ||
| Дата выпуска | 25/02/2020 | ||
| Страницы | 72 | ||
| Номер выпуска в этом году | 1 | ||
| Общее число | 6 | ||
| Файл | |||
| Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
|---|---|---|---|---|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 39-52 | 461 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 46-55 | 386 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 54-64 | 436 | 0 |
|
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 60-67 | 424 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 66-71 | 362 | 0 |