447

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2020, том 2, выпуск 2
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 2
Дата выпуска 25/04/2020
Страницы 70
Номер выпуска в этом году 2
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

О ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПРИМЕСЕЙ МАРГАНЦА И ЦИНКА В КРЕМНИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 9-14 287 0

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Zn и Se

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 15-19 222 0

NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE EFFECT IN ZnMgO MEMRISTOR WITH SiO 2 THIN OXIDE LAYER ON P - TYPE SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

O'zbek 20-24 171 0

SPECTRA OF ENERGY LEVELS OF NANO - SCALE "QUASIMOLECULES" OF SULFUR IN SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 25-30 218 0

ПРОЦЕСС ВЫРАВНИВАЮЩИЙ ДРЕЙФ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 31-37 216 0