772

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, Том 1, выпуск 2
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 28/04/2019
Страницы 70
Номер выпуска в этом году 2
Общее число 6
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ВОЛН НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-ФОТОПРИЕМНИКОВ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 41-47 301 0

СТАБИЛИЗИРУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ЦИТРАТА НАТРИЯ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 48-52 149 0

ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ CoSi2, ВЫРАЩЕННОЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ФЛЮОРИТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 53-57 505 0

МОДЕРНИЗАЦИЯ ФОТО-ТЕПЛОВОЙ БАТАРЕИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В УСЛОВИЯХ ЖАРКОГО КЛИМАТА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 58-64 538 0

ВЛИЯНИЕ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ (ХСП) ПЛЕНОК

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 65-69 428 0