758

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, том 1, выпуск 6
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 28/10/2020
Страницы 78
Номер выпуска в этом году 6
Общее число 78
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

APPLICATION OF PHOTOLUMINESCENT ANALYSIS TO CONTROL NANOPOWDERS SINC SELENIDE AND ZINC OXIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 41-44 361 0

EFFECT OF TEMPERATURE ANNEALING ON THE EFFICIENCY OF NICKEL-DOPED SILICON SOLAR CELLS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 45-52 311 0

СОЗДАНИЕ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК С ПРИМЕНЕНИЕМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 53-61 150 0

ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 62-70 387 0

ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ  - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 71-77 451 0