218

Проведены расчеты энергии циклотронного перехода, циклотронной массы и спинового g  фактора и ряд других характеристик электрона в гетероструктуре GaAs/Ga Al As 1x x на основе трехзонной модели. Показано, что трехзонная модель удовлетворительно описывает спектр электрона. Заметное отклонение расчета с экспериментом наблюдалось для спинового g  фактора

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 218
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 21-08-2020
  • Read count 106
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages268-273
Русский

Проведены расчеты энергии циклотронного перехода, циклотронной массы и спинового g  фактора и ряд других характеристик электрона в гетероструктуре GaAs/Ga Al As 1x x на основе трехзонной модели. Показано, что трехзонная модель удовлетворительно описывает спектр электрона. Заметное отклонение расчета с экспериментом наблюдалось для спинового g  фактора

English

The energy of the cyclotron transition, cyclotron mass, and spin factor and a number of other characteristics of the electron in the heterostructure are calculated on the basis of a three-band model. It is shown that the three-band model satisfactorily describes the electron spectrum. A noticeable deviation of the calculation with experiment was observed for the spin g  factor

№ Author name position Name of organisation
1 Gulyamov A.G.
2 Baymatov P..
3 Abdulazizov B..
№ Name of reference
1 Grundmann M. The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Devices and Nanophysics., Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2006, p 689.
2 E. O. Kane, Band structure of indium antimonide, J Phys Chem Solids 1, 249- 261(1957).
3 Molekulyarno-luchevaya `epitaksiya i geterostruktury / Red. L. Cheng, K. Plog. M.: Mir, 1989. 584 s.
4 R. Winkler, Spin-Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems, Springer Tracts in Modern Physics,Vol. 191 (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, NewYork, 2003).
5 M. Roth, B. Lax, and S. Zwerdling, Theory of OpticalMagneto-Absorption Effects in semiconductors, Phys. Rev. 114, 90 (1959).
6 C. Weisbuch and C. Hermann, Optical detection of conduction - electron spin resonance in GaAs, Ga1-x InxAs, and Ga1-xAlxAs, Phys.Rev.B 15, 816 (1977).
7 I. Vurgaftman, J. R.Meyer, and L. R. Ram-Mohan, Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
8 I. A. Yugova, A. Greilich, D. R. Yakovlev, A. A. Kiselev, M. Bayer, V. V. Petrov, Yu. K. Dolgikh, D. Reuter, and A. D. Wieck, Universal behavior of the electron g factor in GaAs/AlxGa1−xAs quantum wells. Phys. Rev. B 75, (2007).
9 P. Pfeffer., W. Zawadzki, Spin and cyclotron energies of electrons in GaAs/Ga1−xAlxAs quantum wells, Phys. Rev. B 74, 115309. 20061
10 R. J. Warburton, J. G. Michels, R. J. Nicholas, J. J. Harris, C. T. Foxon. Optically detected cyclotron resonance of GaAs quantum wells: Effective-mass measurements and offset effects. Phys. Rev. B 46, N 20,13394. (1992)1
11 S. Huant, A. Mandray, B.Etienne. Nonparabolicity effects on cyclotron mass in GaAs quantum wells. Phys. Rev. B 46, N4, 2613 (1992)
Waiting