333

В докладе рассмотрены особенности полупроводникового приборостроения большой чувствительной поверхности и области объемного заряда на основе монокристаллов кремния. Изучены и показаны функциональные особенности и назначения разработанных приборов «Радонометр», «Радиометр», координатно- чувствительные структуры и т.д. Показаны их функциональные назначения в науке и технике. Показаны особенности p-n и p-in стрктур на основе монокристаллов пластин с диаметром d˃60 мм, толщиной W˃1,5 мм

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count333
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system20-08-2020
  • Read count240
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages10-16
Русский

В докладе рассмотрены особенности полупроводникового приборостроения большой чувствительной поверхности и области объемного заряда на основе монокристаллов кремния. Изучены и показаны функциональные особенности и назначения разработанных приборов «Радонометр», «Радиометр», координатно- чувствительные структуры и т.д. Показаны их функциональные назначения в науке и технике. Показаны особенности p-n и p-in стрктур на основе монокристаллов пластин с диаметром d˃60 мм, толщиной W˃1,5 мм

English

The report considers the features of semiconductor instrumentation of a large sensitive surface and space charge region based on silicon single crystals. Studied and shown the functional features and purpose of the developed devices "Radonometer", "Radiometer", coordinate-sensitive structures, etc. Their functional purposes in science and technology are shown. The features of p-n and p-i-n structures based on single crystals of wafers with a diameter of d˃60 mm and a thickness of W˃1,5 mm are shown.

№ Author name position Name of organisation
1 Muminov R.A.
2 Ergashev G..
3 Radjapov B..
4 Rumyantseva E..
№ Name of reference
1 S.M. Ryvkin. DAN SSSR,1956, t. 106, № 2, s.250.
2 S.M. Ryvkin ZhTF, 1956, t.25, №11, s. 2439.
3 R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, S.L. Lutpullaev, i dr. «Ustrojstva dlya izmereniya ob`emnoj aktivnosti radona v vozduhe. Patent RUz IAR 2011 № 0085.
4 E.K. Toshmurodov, G.Zh. Ergashev, Sh.A. Sajfulloev / Komp'yuternomatematicheskoe modelirovanie elektrofizicheskih harakteristik poluprovodnikovyh koordinatno-chuvstvitel'nyh detektorov yadernogo izlucheniya/ ISSN 0236-3933. Vestnik MGTU im. N.E. Baumana. Ser. Priborostroenie. 2018. № 1. Str 16-20 DOI: 10.18698/0236-3933-2018-1-16-20.
Waiting