200

В работе приводятся результаты разработки метода и средств фотостимулированной сканирующей электрометрии для неразрушающего бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 200
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 21-08-2020
  • Read count 95
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages17-23
Русский

В работе приводятся результаты разработки метода и средств фотостимулированной сканирующей электрометрии для неразрушающего бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах.

English

The paper presents the results of the development of the method and means of photostimulated scanning electrometry for non-destructive contactless testing of the uniformity of spatial distribution of semiconductor wafers ion-doped and diffusion layers’ parameters.

№ Author name position Name of organisation
1 Zharin A..
2 Tyavlovsky A..
3 Mikitsevich U..
4 Vorobey R..
№ Name of reference
1 Faifer V.N., Current M.I., Wong T.M.H., Souchkov V.V. Noncontact sheet resistance and leakage current mapping for ultra-shallow junctions. J. Vac. Sci. Technol. B. 2006. V. 24, no.1. – P. 414–420.
2 Influence of rapid thermal treatment of initial silicon wafers on the electrophysical properties of silicon dioxide obtained by pyrogenous oxidation / V.A. Pilipenko, V.A. Solodukha, A. Zharin, O. Gusev, R. Vorobey, K. Pantsialeyeu, A. Tyavlovsky, K. Tyavlovsky, V.A. Bondariev // High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High-Technology Plasma Processes, 2019, vol. 23, iss. 3, p. 283–290. DOI: 10.1615/HighTempMatProc.2019031122.
3 Pantsialeyeu K.U., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Zharin A.L. Digital contact potential difference probe. Devices and Methods of Measurements. 2016;7(2):136-144. (In Russ.) https://doi.org/10.21122/2220-9506-2016-7-2-136-144
Waiting