290

Предложено оригинальное техническое решение, позволяющее управлять фундаментальными параметрами кремния путем формирования бинарных элементарных ячеек Si2A IIIB V . Показано, что кремний с бинарными нанокластерами является новым полупроводниковым материалом с уникальными функциональными возможностями позволяющим полностью заменить полупроводниковые соединения AIIIB V .

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 290
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 20-08-2020
  • Read count 184
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages35-40
Русский

Предложено оригинальное техническое решение, позволяющее управлять фундаментальными параметрами кремния путем формирования бинарных элементарных ячеек Si2A IIIB V . Показано, что кремний с бинарными нанокластерами является новым полупроводниковым материалом с уникальными функциональными возможностями позволяющим полностью заменить полупроводниковые соединения AIIIB V .

English

The original technical solution is proposed that allows control the fundamental parameters of silicon by forming binary unit cells Si2A IIIB V . It is shown that the silicon with binary nanoclusters is a new semiconductor material with unique functional capabilities that allows completely replacing III – V semiconductor compounds.

№ Author name position Name of organisation
1 Baxadirxanov M.K.
2 Isamov S.B.
3 Kenjayev Z.T.
№ Name of reference
1 Leenson I.A. Himicheskie `elementy v infografike - Moskva: Izdatel'stvo AST, 2016. - 224 s.
2 Bakhadyrhanov M.K., Sodikov U.X., Iliev Kh.M., Tachilin S.A., Tuerdi Wumaier. Perspective Material for Photoenergetics on the Basis of Silicon with Binary Elementary Cells // Materials Physics and Chemistry (2019), Volume 1 doi:10.63019/mpc.v1i2.493, pp. 89-95
3 Bakhadirkhanov M.K., Isamov S.B., Melibaev D. Control of the fundamental parameters of silicon - production of a new class of semiconductor materials based on silicon / «Nauka, tehnika i innovacionnye tehnologii v `epohu moguschestva i schast'ya», Materialy Mezhdunarodnoj nauchnoj konferencii, 12-13 iyunya 2019 g. Ashhabad, S. 20-22.
Waiting