195

Продемонстрировано возможность управления фоточувствительности под действием внешних факторов. Установлено, что с увеличением потенциала коронного разряда и электрического поля спектры смешается в коротко волновую область спектра, при этом существенно изменяется энергии активации глубокого уровня 0,70 эВ за счет эффекта ПулаФренкеля. Найдено напряженность электрического поля в окрестности дефекта Е= 105 В/см.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 195
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 21-08-2020
  • Read count 101
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages86-91
Русский

Продемонстрировано возможность управления фоточувствительности под действием внешних факторов. Установлено, что с увеличением потенциала коронного разряда и электрического поля спектры смешается в коротко волновую область спектра, при этом существенно изменяется энергии активации глубокого уровня 0,70 эВ за счет эффекта ПулаФренкеля. Найдено напряженность электрического поля в окрестности дефекта Е= 105 В/см.

English

The ability to control photosensitivity under the influence of external factors is demonstrated. It has been established that, with an increase in the potential of the corona discharge and the electric field, the spectra are mixed into the shortwave region of the spectrum, while the activation energy of the deep level of 0.70 eV changes significantly due to the Poole-Frenkel effect. The electric field strength in the vicinity of the defect E = 105 V / cm was found.

№ Author name position Name of organisation
1 Otajonov S.M.
2 Alimov N..
3 Movlonov P..
4 Botirov Q..
№ Name of reference
1 Akbarov К., Otajonov S., Alimov N. Third international conference “Physical and chemical principles of formation and modification of micro- and nanostructures”. Kharkiv, Ukraine , 2009
2 Goldman E.I., Zhdan A.G., Chucheva G.V. Transport of free ions along the insulator layer and the effects of electron-ion exchange at the semiconductor-insulator interface during thermostimulated ion depolarization of Si-MOS structures // FTP. 1999. No. 8. P.2024.
3 S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 2001. 89 (8), 3707P
Waiting