Исследована возможность радиационного усиления фотопроводимости наногетероструктур ZnSe/ZnO:O до 10-6 Ом-1 с образованием фотополупроводниковой структуры, концентрации фотоэлектронов до Ne=2.710 17 см-3 связанных с формированием резонансных уровней: Г6v-5.76 эВ, L1,3v-4.85 эВ, Zni-3.34 эВ, OSe-3.13 эВ и X-2.72 эВ, представляющий интерес для изготовления полупроводниковых сцинтилляционных и фото-детекторов.
Исследована возможность радиационного усиления фотопроводимости наногетероструктур ZnSe/ZnO:O до 10-6 Ом-1 с образованием фотополупроводниковой структуры, концентрации фотоэлектронов до Ne=2.710 17 см-3 связанных с формированием резонансных уровней: Г6v-5.76 эВ, L1,3v-4.85 эВ, Zni-3.34 эВ, OSe-3.13 эВ и X-2.72 эВ, представляющий интерес для изготовления полупроводниковых сцинтилляционных и фото-детекторов.
The possibility of radiation enhancing the photoconductivity of ZnSe/ZnO:O nanoheterostructures up to 10-6 Ohm-1 with the formation of a photoconductor structure, concentration of photoelectrons up to Ne=2.71017 cm-3 associated with the formation of resonance levels: Г6v-5.76 eV, L1,3v-4.85 eV, Zni-3.34 eV, OSe-3.13 eV and X-2.72 eV, which is of interest for the manufacture of semiconductor scintillation and photo-detectors.
№ | Author name | position | Name of organisation |
---|---|---|---|
1 | Mussaeva M.. | ||
2 | Ibragimova E.. | ||
3 | Elmurotova D.. | ||
4 | Tudieva S.. |
№ | Name of reference |
---|---|
1 | Xiao Ch., Wang Y. and all. Preparation of ZnO/ZnSe heterostructure parallel arrays for photodetector application // Applied Physics letters.-USA. 2016. P.1-4. |
2 | Elmurotova D.B., Ibragimova E.M., and all. Radiation-Induced Formation of ZnO Nanoparticles on the ZnSe Single-Crystal Surface // Physics of the Solids State. - St. Petersburg, 2009. №3 (51). P.456-464. |
3 | Degoda V.Ya., and all. V-I characteristics of X-ray conductivity and UV photoconductivity of ZnSe crystals //Journal of Applied Physics.USA.2018. P.1÷10. |