296

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 296
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 22-08-2020
  • Read count 189
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages214-218
Русский

В данной статье были изучены процессы токопрохождения в диодных структурах на основе твердых растворов «кремний-сульфид кадмия». Полученные результаты показали, что в исследованных p-Si-n-(Si2)1- x(CdS)x (0x 0.01)структурах в переходной области «подложка - эпитаксиальный слой» образуется компенсированный высокоомный слой из твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x.

English

In this article, the processes of current flow in diode structures based on solid solutions “silicon-cadmium sulfide” were studied. The results showed that in 215 the studied p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0x 0.01) structures in the transition region “substrate - epitaxial layer” a compensated high-resistance layer is formed from a solid solution(Si2)1-x(CdS)x.

№ Author name position Name of organisation
1 Madaminov X.M.
№ Name of reference
Waiting