187

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 187
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 22-08-2020
  • Read count 93
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages270-275
Русский

В работе приведены результаты исследования зависимости величины магнетосопротивления GaMnAs, от ориентации внешнего магнитного поля. Получены температурные зависимости анизотропного магнетосопротивления, показывающие, что в исследованном интервале температур ось легкого намагничивания лежит в плоскости эпитаксиального слоя.

English

Results of the studies of GaMnAs magnetoresistance dependence on the external magnetic field orientation have been presented. Temperature dependences of the anisotropic magnetoresistance shows that in the investigated temperature range the easy axis lies in the plane of epitaxial layer

№ Author name position Name of organisation
1 Parchinskiy P..
2 Gazizulina A.S.
№ Name of reference
1 T. Hayashi, Y. Hashimoto, S. Katsumoto, Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 2001. V78. P. 1691
2 P.B. Parchinskij, A.S. Galashina, Dojin Kim, UFZh, 2017, Vol. 19(№3), 143- 147
3 Baxter D.V., Ruzmetov D., Scherschligt J., Sasaki Y., Liu X., Furdyna J., Mielke C.H., Phys. Rev. B. 2004, 65, №21, 212407.
4 P.B. Parchinskiy, F.C. Yu, P.V. Chandra Sekar, D.J. Kim, JMMM, 2009, 321, №7, 709
5 K.Y Wang, K.W Edmonds, R.P Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher, Phys. Rev. B. 2005, 72, №8, 085201
Waiting