250

Исследованы фототоковые характеристики Au-ZnxCd1-xSMo- структурного фотоприемника с фоточувствительности в диапазоне ∆ λ= 380 – 500 nm. Установлено, что вид зависимости Jкз(Vхх) определяется параметрами фотоактивных слоев ZnxCd1-xS, такими как, толщины, ширина запрещенных зон и уровнем легирования.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 250
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 22-08-2020
  • Read count 128
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages276-280
Русский

Исследованы фототоковые характеристики Au-ZnxCd1-xSMo- структурного фотоприемника с фоточувствительности в диапазоне ∆ λ= 380 – 500 nm. Установлено, что вид зависимости Jкз(Vхх) определяется параметрами фотоактивных слоев ZnxCd1-xS, такими как, толщины, ширина запрещенных зон и уровнем легирования.

English

The photocurrent characteristics of the Au-ZnxCd1-xS-Mo-structural photodetector with photosensitivity in the range ∆ λ = 380 - 500 nm were studied. It was found that the form of the dependence Jsc(Voc) is determined by the parameters of the photoactive layers of Znx Cd1-xS, such as thickness, band gap and doping level.

№ Author name position Name of organisation
1 Kabulov R..
2 Akbarov F..
3 Gerasimenko S..
4 Saidaliev A..
№ Name of reference
1 S.M.Sze. Semiconductor Devices. Physics and Technology, 2nd edition, – New York: John Willey and Sons, Inc., 2002, p.574.
2 R.R. Kobulov, М.А. Махмudov, S.Yu.Gerasimenko. Fabrication and investigation of ultravialet Au-Zn x Cd1–x S-Mo-structures // Applied Solar Energy, 2017, 53(1), 10-12. DOI 10.3103/S0003701X1701008X
3 R. R. Kobulov, et.al. Morphology and Current Transport in a Thin-Film Polycrystalline Au–ZnxCd1 – x S–Mo Structure with Wide Photosensitivity Range in the Ultraviolet and Visible Radiation Spectral Region // Applied Solar Energy. – 2018. - vol. 54, No. 4. - pp.251–254
4 Kabulov R.R., Gerasimenko S.Yu., Tursumetov A.A. “Structural and photoelectric features of a photosensor based on the Au-ZnxCd1-xS-Mo structure with a wide spectrum of photosensitivity for direct analysis of total bilirubin content in blood plasma” // International Scientific and Practical Conference “Auezov Readings - 17”, April 11-12, 2019 , Shymkent, Republic of Kazakhstan. Page 144-149.
5 S.M.Sze & Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. – Hoboken, New Jersey: John Willey and Sons, Inc., 2007, p.763.
6 С.Т.Sah, R.N.Noice, and W.Shockley // Proc.IRE, 4, 1228 (1957).
7 Mirsagatov Sh.A., A.Yu.Leyderman, Ataboev O.K. // Physics of the Solid State. – 2014. – V.56. –N12. – pp 2401-2407.
Waiting