227

В статье моделируется влияние локального заряда, встроенного в оксидный слой как на пороговое напряжение, так и на емкость бокового перехода сток-подложка. Показано, что изменения порогового напряжения и емкости бокового перехода зависят от размеров локального заряда и его положения вдоль канала относительно стока.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 227
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 05-10-2020
  • Read count 126
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages335-340
Русский

В статье моделируется влияние локального заряда, встроенного в оксидный слой как на пороговое напряжение, так и на емкость бокового перехода сток-подложка. Показано, что изменения порогового напряжения и емкости бокового перехода зависят от размеров локального заряда и его положения вдоль канала относительно стока.

English

Influence of the local charge introduced in oxide layer to threshold voltage as well as to the capacitance of lateral transition drain-base of MOSFET is simulated. It is shownthe change of the threshold voltage and the capacitance depend on local charge size and position relative drain.

№ Author name position Name of organisation
1 Yusupov A..
2 Atamuratova Z.A.
3 Atamuratov A.E.
№ Name of reference
1 Yeohyeok Yun, Ji-Hoon Seo, Donghee Son, Bongkoo Kang. Method to estimate profile of threshold voltage degradation in MOSFETs due to electrical stress. Microelectronics Reliability 88–90 (2018) 186–190.
2 S. Christoloveanu, H Haddara, N. Revill. Defect localization induced by hot carrier injection in short-channel MOSFET: concept, modeling and characterization. Microelectronics Reliability, V33,N9, pp.1365-1385, 1993.
3 Javier Diaz-Fortuny, Javier Martin-Martinez, Rosana Rodriguez, Rafael Castro-Lopez, Elisenda Roca, Francisco V. Fernandez, Montserrat Nafria. A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models. Solid State Electronics 159 (2019) 99–105.
Waiting