404

В статье рассматриваются физико-химические основы взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и определены условия легирования полупроводниковых кристаллов кремния примесными атомами железа и олова. Приведена схема лазерной технологической установки, позволяющей получать сравнительно глубокие и гомогенные  профили внедренных атомов.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system15-06-2021
  • Read count403
  • Date of publication12-06-2015
  • Main LanguageRus
  • Pages12-15
Ўзбек

Мақолада лазер нурланишларининг яримўтказгичли модда билан ўзаро таъсирлашувининг физик-кимёвий асослари кўриб чиқилган. Яримўтказгичли кремний кристалларини темир ва қалай билан легирлаш имкониятлари кўрсатилган ва шароитлари аниқланган. Киритилган атомларнинг нисбатан чуқур ва бир хил тақсимланишини таъминлайдиган лазерли технологик қурилманинг тузилиш чизмаси келтирилган.

Русский

В статье рассматриваются физико-химические основы взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и определены условия легирования полупроводниковых кристаллов кремния примесными атомами железа и олова. Приведена схема лазерной технологической установки, позволяющей получать сравнительно глубокие и гомогенные  профили внедренных атомов.

English

The article studies the physic-chemical basis of the interaction of laser radiation with a semiconductor material. The possibilities and determine the conditions of alloying semiconductor crystals of silicon impurity atoms of iron and tin are shown. The schema of the laser technological settings and allows receiving relatively deep and homogeneous sections of interstitial are shown.

№ Author name position Name of organisation
№ Name of reference
1 1. Голубев В.С., Лебедев Ф.В. Физические основы технологических лазеров.- М.: ВШ,1987. 2. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов.- М.: Мир, 1986. 3. Zaynobidinov S.Z., Yo’lchiyev Sh., Nazirov D., Nosirov M. Yarimo’tkazgichlarda atomlar diffuziyasi.- T., 2012. 4. Рябов С.Г., Торопкин Г.Н., Усольцев И.Ф. Приборы квантовой электроники.- М.: Радио и связь, 1985. 5. Карлов И.В. Лекции по квантовой электронике.- М.: Наука, 1983.
Waiting