Показана возможность получения монокристаллического твердого раствора замещения (Ge2)1-xy
(ZnSe)x(GaAs)y на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии из висмутного раствора-распла-
ва. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики этих структур при малых на-
пряжениях (до 1В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при напряжениях V
> 1В имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V ≈ V0exp(Jad). Сублинейный участок
ВАХ объясняется на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность
основных носителей уменьшается, а неосновных – увеличивается с ростом температуры.
Суюқ фазали эпитаксия усули ёрдамида висмутли аралашма эритмасидан Ge тагликларга
(Ge2)1-x-y(ZnSe)x(GaAs)y қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди. Бу юпқа парда-
ларда вольт-ампер тавсифининг 1 В гача бўлган тўғри йўналиши экспоненциал I = I0exp(qV/ckT) ва
V > 1 В кучланишларда V ≈ V0exp(Jad) субчизиқли боғланиш билан ифодаланди. ВАХнинг субчизиқли
қисми инжексиявий камайиш назарияси билан изоҳланди. Ҳарорат ортиши билан асосий заряд та-
шувчилар ҳаракатчанлигининг камайиши ва ноасосийларнинг ортиши кўрсатилди.
Показана возможность получения монокристаллического твердого раствора замещения (Ge2)1-xy
(ZnSe)x(GaAs)y на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии из висмутного раствора-распла-
ва. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики этих структур при малых на-
пряжениях (до 1В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при напряжениях V
> 1В имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V ≈ V0exp(Jad). Сублинейный участок
ВАХ объясняется на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность
основных носителей уменьшается, а неосновных – увеличивается с ростом температуры.
In this article the possibility of producing single crystal substitutional solid solution (Ge2)1-x-y(ZnSe)x(GaAs)y
on the germanium substrates by liquid phase epitaxy bismuth molten solution are shown. It is detected that the
direct branch of the current-voltage characteristics of these structures at low voltages (up to 1V) is described by
an exponential dependence I=I0exp(qV/ckT), and portion of the sublinear growth with voltage V≈V0exp(Jad) at
V > 1V. The sublinear growth are explained on the basis of the theory of the injection depletion. It is shown that
the mobility of majority carriers decreases and the minority carriers increases with growing temperature.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Materials chemistry and physics. Vol. 68, p.1-6. (2001). 2. Справочник химика / под.ред. Б.П. Никольского.- М-Л: Химия, 1982. Т.1, 384 с. 3. Саидов М.С. Гелиотехника. В.3, ст.4-10 (2001). 4. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характери- стики диода // ЖТФ.-Ленинград, 1958.- т.28, в.8.- С.1631-1641. 5. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупро- водниках.- М.: Советское радио, 1978. 6. Лейдерман А.Ю. Карагеоргий-Алкалаев П.М. К теории полупроводниковых приборов при высо- ких уровнях инжекции./ «Изв. АН РУз ССР. Сер.физ.мат.».-Т.,1965.-№5.-С.80-82. 7. Зеегер К. Физика полупроводников.- М.: Мир, 1977.- 616 с. 8. Leiderman A.Yu., Karageorgy-Alkalaev P.M. Sol. St. Commun., 27, 339 (1976). 9. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т. ФТП, 43(4), 436 (2009). 10. Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. ФТП, 44(7), 970-977 (2010). 11. Усмонов Ш.Н., Мирсагатов Ш.А., Лейдерман А.Ю. ФТП 44(3), 330-334 (2010). 12. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых струк- тур с глубокими примесями.- Т.: Фан, 1981. |