Получены спектральная и температурная зависимости коэффициента однофотонного поглощения поляризованного излучения n-GaP с учетом “горба” нижней подзоны зоны проводимости. Указано на возможность корневой особенности в спектральной зависимости тогда, когда свет распространяется поперек к главной оси n-GaP.
Мақолада ўтказувчан зонанинг пастки тармоғи “ўркачсимон”
лигини ҳисобга олган ҳолда n-GaP қутбланган нурланиши бир фотонли ютилиш коэффициентининг спектрал ва температуравий боғлиқлиги ҳисобланган.
Спектрал боғлиқликнинг бундай ўзак хусусияти нур n-GaP нинг бош ўқига кўндаланг ёйилганида мумкинлиги кўрсатилди.
Получены спектральная и температурная зависимости коэффициента однофотонного поглощения поляризованного излучения n-GaP с учетом “горба” нижней подзоны зоны проводимости. Указано на возможность корневой особенности в спектральной зависимости тогда, когда свет распространяется поперек к главной оси n-GaP.
Spectral and temperature dependences of factorof one-photon absorbtion of the polarised radiation n-GaP taking into account “camel’s back” structure of the bottom subband of conductivity zone are received. It is specified in possibility root feature in spectral dependence when light extends across to the main symmetr axis n-GaP.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. Международные зимние школы по физике полупроводников С.-Петербург – Зеленогорск, 2–5 марта,-2001; 1–4 марта,-2002; 28 февраль-03.03 март, -2003; 28 февраль-03.03 март,-2005; ФТИ им. А. Ф.Иоффе РАН. 2. 6th, 7th, 8th, 9th, 10th International Symposium of Nanostructures Physics and Technology (St Peters�- burg, Russia, 22-26 June-1998; St Petersburg, June 14-18,-1999; St Petersburg, June 19-23,-2000; St Petersburg, June 18–22,-2001; St Petersburg, June 17–21,-2002).htm 3. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. – М.: Наука, -1972. 4. G.Pikus, E.Ivchenko. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena, Springer Series in Solid-State Sciences,-V. 110., Springer- Verlag, Berlin, Heidelberg, – 1995,-657 p.; second edition 1997. 5. Ивченко Е.Л., Расулов Р.Я. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников. Ташкент. “Фан”. -1989 6. E.L.Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures / E.L. Ivchenko. - Harrow : Alpha Science International Ltd. , 2005. – XII 7. Ивченко Е.Л., Расулов Р. Я. Оптические явления в полупроводниках. Фергана. Лаборатория опе- ративной печати при ФерГУ. 1989 8. Расулов Р. Я. Линейно- циркулярный дихроизм при многофотонном межподзонном поглощении в полупроводниках // ФТТ. – 1992. – Т.35. – В.6. – С. 52-57. 9. Eski Т., Rasulov R.Ya, D. Kambarov. The Optical and Photoelectric Phenomena in Semiconductors Quantum Wells. // Abstracts the 9th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications. November 6-7. 1998. Pb. 28. 10. Gibson A.F., Hatch C.B., Kimmit M.P., Kothаri S., Serafetinides A. Optical Rectification and Photon- Drag in n-Type Gallium Phosphyde // J.Phys. C. Sol. St. Phys. – 1977. – V.10. – № 6.– P. 905-916. |