424

В статье исследовано влияние малых интенсивностей лазерного излучения при плотности излучения меньше критической на электрофизические характеристики арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки Cr-n-n+-GaAs. Показана возможность управления их параметрами при сравнительно невысоких интенсивностях лазерного излучения

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system10-08-2021
  • Read count424
  • Date of publication20-06-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages7-9
English

Мақалада Шоттки барьерли Cr-n-n+-GaAs арсенидгаллийли диодлы структуралардың электрофизикалық өзгешеликлерине критикалық нурланыў тығызлығынан киши болган төмен интенсивликтеги лазер нурланыўының тәсири изертленген. Салыстырмалы төмен интенсивликтеги лазер нурланыўы менен олардың параметрлерин басқарыў мүмкинлиги көрсетилген.

Ўзбек

Мақолада Шоттки барьерли Cr-n-n+-GaAs арсенидгаллийли диодли структураларнинг электрофизик хусусиятларига критик нурланиш зичлигидан кичик бўлган паст интенсивликдаги лазер нурланишининг таъсири тадқиқ қилинган. Нисбатан паст интенсивликдаги лазер нурланиши билан уларнинг параметрларини бошқариш мумкинлиги кўрсатилган.

Русский

В статье исследовано влияние малых интенсивностей лазерного излучения при плотности излучения меньше критической на электрофизические характеристики арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки Cr-n-n+-GaAs. Показана возможность управления их параметрами при сравнительно невысоких интенсивностях лазерного излучения

English

In this article, the effect of low intensities of laser radiation at a radiation density less than critical on the electrical characteristics of arsenide gallium diode structures with a Schottky barrier Cr-n-n+-GaAs is investigated. The possibility of controlling their parameters at relatively low laser radiation intensities is shown.

 

№ Name of reference
1 1. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Дислокационная природа туннельного избыточного тока в структурах GaAs-Ni, модифицированного лазерным излучением. ФТП, 2000, т.34, вып.8, с.976-977.
2 2. Баимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г. Механизм воздействия лазерных импульсов на полупроводники AIIIBV. ФХОМ, 1999, №1, с.38-40.
3 3. Исмаилов К.А., Тагаев М.Б., Камалов А.Б., Бекбергенов С.Е. //Влияние лазерной обработки на электрические характеристики барьерных контактов к GaAs. Материалы IX Международной конференции «Физика полупроводников тонких пленок». –Ивано-Франковск, Украина, 19-24 мая 2003 г, с.79-80.
4 4. Мамонтов А.П., Чернов И.П. Эффект малых доз ионизирующего излучения.- М.: «Энергоатомиздат» 2001, 286с.
5 5. Исмаилов К.А., Тагаев М.Б., Статов В.А., Бекбергенов С.Е. Роль микрорельефа в изменении характеристик оксидсодержащих барьеров Шоттки Сr-GaAs под влиянием внешних воздействий. Материалы конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках 2004»- Ташкент. 20-21 апреля 2003 г, с.35-36.
6 6. Андреева В.Д., Анисимов М.И., Джумамухамбетов Н.Г., «Дмитриев А.Г» Структура кристаллов GaAs модифицированных импульсным лазерным излучением. ФТП, 1990, т. 24, вып.6, с.1010-1012.
7 7. Воронков В.П., Калыгина В.М., Муленков С.Ю., Оборина Е.И., Сальман Е.Г., Смирнова Т.П. Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs. ФТП, 1992, т. 26, вып. 6, с.1120-1123.
8 8. Возмилова Л.Н., Гаман В.И., Калыгина В.М., Панин А.В., Смирнова Т.П. Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия. ФТП, 1997, т.31, вып.4, с.492-497.
Waiting