284

Определены протяженные дефекты методом низкотемпературной фотолюминесценции в эпитаксиальных пленках ZnTe/GaAs. Выяснена природа протяженных дефектов.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 28-09-2021
  • Read count 284
  • Date of publication 15-03-2018
  • Main LanguageRus
  • Pages19-22
English

ZnTe/GaAs эпитаксиаль пленкасында төмен температуралы фотолюминесценция усылы менен тартымлы нуқсанлар анықланды. Тартымлы нуқсанлардың тәбияты анықланды.

Ўзбек

ZnTe/GaAs эпитаксиал пленкаларида паст ҳароратли фотолюминесценция усули билан тортишувчи нуқсонлар аниқланди. Тортишувчи нуқсонларнинг табияти аниқланди.

Русский

Определены протяженные дефекты методом низкотемпературной фотолюминесценции в эпитаксиальных пленках ZnTe/GaAs. Выяснена природа протяженных дефектов.

English

Extended defects were determined by the method of low-temperature photoluminescence in epitaxial films ZnTe/GaAs. The nature of extended defects is clarified.

№ Author name position Name of organisation
1 Sharibaev M.. Professor Karakalpak State university
2 Bijanov A.. Professor Karakalpak State university
3 Uteeva M.P. Professor Karakalpak State university
№ Name of reference
1 1. J. Petruzzello, D.J. Olego, X. Chu, J.P. Faurie, “Transmission electron microscopy of (001)ZnTe on (001)GaAs, grown by molecular beam epitaxy”, J. Appl. Phys., 1988, v.63, No5.
2 2. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, “Degradation of II-VI based blue-green emitters”, Appl. Phys. Lett., 1993, Vol. 63, No 23.
3 3. Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский “Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций - источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах AIIBVI”, ФТП, 1998, т.32, №6.
4 4. В.Д. Негрий, “Пьезоспектроскопия излучения винтовых дислокаций”, ФТТ, 1992, т.34, №8.
5 5. K.Kumazaki, F.Iida, K. Ohno, K. Hatano and K. Imai, “Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs”, J. Cryst. Growth, 2009, vol.117.
Waiting