268

 

В статье приведены результаты изучения механизмов
токопрохождения pSi-nSi1-xSnx (0х0.04)-структуры, которые объясняется в рамках
«модели образования дефектов и дефект-примесных комплексов».
 

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 04-11-2021
  • Read count 268
  • Date of publication 15-01-2020
  • Main LanguageRus
  • Pages31-36
Русский

 

В статье приведены результаты изучения механизмов
токопрохождения pSi-nSi1-xSnx (0х0.04)-структуры, которые объясняется в рамках
«модели образования дефектов и дефект-примесных комплексов».
 

English

 

In this article presents the results of the study of the mechanisms of the current
passage of the pSi-nSi1-xSnx (0х0.04)-structure, which is explained in the framework of the
«model of the formation of defects and defect-impurity complexes».
 

Ўзбек

 

Мақолада pSi-nSi1-xSnx (0х0.04)-тузилмаларнинг вольт-ампер
характеристикаларини тадқиқ этиш натижалари «нуқсон ва нуқсон-киришма
комплекси ҳосил бўлиш модели» орқали тушунтирилган.
 

№ Author name position Name of organisation
1 Madaminov X.M. dotsent Andijan State University
№ Name of reference
1 C.З.Зайнабидинов, Р.Алиев, М.Муйдинова, Б.Урманов. Об оптической эффективности кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Гелиотехника. 2018. №5, - С. 3.
2 А.С.Саидов, Ш.Н.Усмонов, М.У.Каланов, Х.М.Мадаминов. Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si1-xSnx. Письма в журнал технической физики. 2010, Т. 36, № 9. с. 107.
3 A.Yu.Leiderman, V.G.Stel’makh, M.Sadykov. Recombination in Semiconductors with Deep Impurities. Applied Solar Energy, 2008, Vol. 44, No. 4, pp. 276–280.
4 А.С.Саидов, C.З.Зайнабидинов, Ш.Н.Усмонов, Х.М.Мадаминов. Особенности вольтамперных характеристик pSi-nSi1-xSnx (0  х  0.04) структур. Вестник ГулГУ, 2011, №3, стр.5.
5 А.Ю.Лейдерман. Новый механизм насыщения токов короткого замыкания в фотолементах при концентрированном солнечном излучении. Гелиотехника. 2003. №3, - С. 16.
6 Ш.Н.Усмонов, А.С.Саидов, М.С.Саидов, А.Ю.Лейдерман, К.А.Аманов. Аномальная температурная зависимость вольтамперных характеристик pSi-n(Si2)1- x(ZnSe)x структур. Гелиотехника. 2009. №3, - С. 26.
7 Kh.M.Madaminov. The Effect of Recombination through Vacancies on the Type of Current-Voltage Characteristics of pSi-nSi1-xSnx – Structures. Journal of Science and Engineering Research. № 11 (5), 2018, pp. 97-101.
Waiting