166

 

В работе рассмотрена влияния воздействия света и деформации на
ВАХ p-n перехода. Показано новые возможности управления вольтамперной
характеристикой p-n перехода с помощью деформации и освещения. Деформация
меняет ширину запрещенной зоны полупроводника, это способствует изменению
коэффициента поглощения и при воздействии деформации обратная ветвь p-n-перехода
опускается ниже с ростом деформации.
 

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 06-11-2021
  • Read count 166
  • Date of publication 06-11-2021
  • Main LanguageRus
  • Pages3-9
Русский

 

В работе рассмотрена влияния воздействия света и деформации на
ВАХ p-n перехода. Показано новые возможности управления вольтамперной
характеристикой p-n перехода с помощью деформации и освещения. Деформация
меняет ширину запрещенной зоны полупроводника, это способствует изменению
коэффициента поглощения и при воздействии деформации обратная ветвь p-n-перехода
опускается ниже с ростом деформации.
 

English

 

In this article it was investigated that the effects of deformation and light pn junctions on I-V characteristic. It is shown that the p-n switching between light and
deformation has the potential to control the I-V characteristic. The deformation changes the band
gap of the semiconductor, this contributes to a change in the absorption coefficient, and under
the influence of deformation, the reverse branch of the pn junction drops lower with increasing
strain.
 

Ўзбек

 

Ушбу ишда деформация ва ёруғликни p-n ўтиш ВАХ га таъсири
қараб ўтилган. Ёруғлик ва деформация ёрдамида p-n ўтишнинг ВАХ ни бошқариш
имконияти мавжудлиги кўрсатиб ўтилган. Деформация яримўтказгич таъқиқ  зонасини ўзгартириши эвазига ютилиш коэффициенти ўзгаради ва деформация
таъсирида p-n ўтишни тескари соҳаси пастга силжийди.
 

№ Name of reference
1 Бонч-Бруевич В.Л.Калашников С.Г. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
2 К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986.- 435 с..
3 П.С.Киреев. Физика полупроводников. М. “Высшая школа”1975 г.
4 Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1978)
5 G. Gulyamov, A.G. Gulyamov. On the Tensosensitivity of a p–n Junction under Illumination. Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 6, pp. 819–822.
6 Г.Гулямов, А.Г.Гулямов. Влияние деформации на реактивные фототоки в полупроводниках. «Альтернативная энергетика и экология».– Россия, г.Саров, 2014.-№13. C. 17–21.
7 Jacques I. Pankove, Optical processes in semiconductors (Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, New Jersey, 1971).
8 П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника – Справочник. (Наукова думка, Киев, 1975).
Waiting