В многофункциональной сверхвысоковакуумной установке изучены кристаллы магния и его сплавы с барием, методами оже-фотоэлектронной спектроскопии. В качестве источников излучения в области вакуумного ультрафиолета использовались криптоновые и ксеноновые резонансные лампы. Исследованы энергетические распределения фотоэлектронов N(E), спектральные зависимости квантового выхода фотоэлектронной эмиссии до и после нагрева сплава магния-бария. Анализируется вклад поверхностных состояние и зон, образованных атомами магния и бария. Сравнением фотоэлектронных спектров магния и сплава магния с барием снятых при hν=8,4эВ и 10эВ установлено, что в электронной структуре имеются максимумы при 0,6-0,7эВ, 1,1-1,2 и 1,5-1,6эВ ниже уровня Ферми, обусловленные с плотностью электронных состояний магния и бария. Экспериментально установлена, что после прогрева сплава магний-барий с объемным содержанием атомов бария-1% при 350-4000С наблюдается сегрегация и термодиффузия атомов бария в поверхностный слой сплава. Впервые установлено, что по мере роста концентрации атомов бария в приповерхностной области сплава происходит химические сдвиги Оже-пиков магния связанные образованием интерметаллические соединения с разными стехиометрическими составами. Показано, что в области энергии фотонов 5эВ КВФ сплава почти на порядок больше КВФ чистого магния. Результаты обсуждаются на основе литературных теоретических расчетов, которые использованы плотности состояний магния модельных структур магния-бария.
В многофункциональной сверхвысоковакуумной установке изучены кристаллы магния и его сплавы с барием, методами оже-фотоэлектронной спектроскопии. В качестве источников излучения в области вакуумного ультрафиолета использовались криптоновые и ксеноновые резонансные лампы. Исследованы энергетические распределения фотоэлектронов N(E), спектральные зависимости квантового выхода фотоэлектронной эмиссии до и после нагрева сплава магния-бария. Анализируется вклад поверхностных состояние и зон, образованных атомами магния и бария. Сравнением фотоэлектронных спектров магния и сплава магния с барием снятых при hν=8,4эВ и 10эВ установлено, что в электронной структуре имеются максимумы при 0,6-0,7эВ, 1,1-1,2 и 1,5-1,6эВ ниже уровня Ферми, обусловленные с плотностью электронных состояний магния и бария. Экспериментально установлена, что после прогрева сплава магний-барий с объемным содержанием атомов бария-1% при 350-4000С наблюдается сегрегация и термодиффузия атомов бария в поверхностный слой сплава. Впервые установлено, что по мере роста концентрации атомов бария в приповерхностной области сплава происходит химические сдвиги Оже-пиков магния связанные образованием интерметаллические соединения с разными стехиометрическими составами. Показано, что в области энергии фотонов 5эВ КВФ сплава почти на порядок больше КВФ чистого магния. Результаты обсуждаются на основе литературных теоретических расчетов, которые использованы плотности состояний магния модельных структур магния-бария.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Abdurashidova Z.F. | Магистр | Национального университета Узбекистана, |
| 2 | Nurmatov N.A. | Доцент | Национального университета Узбекистана, |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. Stendard AUGER Spectra of the ELEMENTS" Справочник, -1976. |
| 2 | 2. Рейнор Г.В. «Металловедения магиния и его сплавов» / М. Металлургия - 1964, с. 1486 |
| 3 | 3. Бурибаев И., Нурматов Н.А., Талипов Н., Аскаров М., Ткаченко В.Г, Максимчук И.Н., Кондрашев А.И., «Электронная структура и фотоэмиссионные свойства легких сплавов с нанокластеризованной структурой». Материалы семинара в НАН Украины «Электронная структура и свойства тугоплавких металлов и наноструктурных материалов». Киев-2004.-1с |
| 4 | 4. Ткаченко В.Г. Физический основы формирования и восстановления механических и прецизионных сплавов./ Киев-1996, с.364 Ткаченко В.Г., Кондрашев А.И., Лазоренко В.И., Лашкарев Г.В. Трефилов В.И., Электронная структура металлических сплавов с повышенным квантовым выходом фотоэмиссии. // ДАН (Москва), - 1999, т.367, Ne5., с. 632-635. 24. 2. 2 |
| 5 | 5. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника./ 1966 М. Наука.с |
| 6 | 6. Ионов твердотельных элементов. С. Ф. Белых, А.Б. Толстогузов, А.А Лозован №-10 2015. |
| 7 | 7. Температурная зависимость движущих сил поверхностной сегрегации в сплавах Cu-Ge и Сu-Mn. И.Н.Прохоров, К. Ч. Бжихатлов №-5 2015 |
| 8 | 8.Упорядочение в твердых растворах Сu-25 ат.% Au и Cu -75 ат.% Au Д. Энхтор, В.М.Силонов, П.П.Сапронов. №-4 2015, |