292

В статье экспериментально исследовано, что при определенных термодинамических условиях образуются кластеры, которые позволяют целенаправленно управлять основными параметрами кремния и раскрывают новые функциональные возможности таких материалов.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system05-02-2022
  • Read count292
  • Date of publication10-03-2017
  • Main LanguageRus
  • Pages3-5
English

Мақалада белгили бир термодинамикалық шараятта кластерлердиң пайда болыўы ҳәм олардың кремнийдиң тийкарғы параметрлерин басқарыўға жағдай жарататуғыны ҳәм бундай материаллардың жаңа функционаллық мүмкиншиликлерин ашып беретуғыны экспериментал жол менен изертленген.

Ўзбек

Мақолада маълум бир термодинамик шароитда кластерларнинг ҳосил бўлиши ва уларнинг кремнийнинг асосий параметрларини бошқаришга имкон яратувчи ва бундай материалларнинг янги функционал имконларини ёритиб берадиганлиги экспериментал йўл билан тадқиқ қилинган.

Русский

В статье экспериментально исследовано, что при определенных термодинамических условиях образуются кластеры, которые позволяют целенаправленно управлять основными параметрами кремния и раскрывают новые функциональные возможности таких материалов.

English

Sulfur atoms in the silicon lattice are assumed to facilitate the capture of doubly charged manganese interstitials (Mn2+) at negatively charged vacancies, resulting in the formation of a multicomponent impurity cluster of composition Si2S2+Mn2– in the silicon lattice throughout the crystal.

№ Name of reference
1 1. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные кластеры в полупроводниках–новый подход к формированию свойств материалов. //ФТП, 1998,Т.32,№5.
2 2. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. –М.; Ком.Книга, 2006.
3 3. Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И. - ФТТ. 2009,том 51, вып. 10.
4 4. Kang T.W., Yuldashev Sh. U., Nusretov R.A.. Electroluminecence of n-Zn1-xMgxO neterostructures grown on Si substrates. Program & Abstracts of QEM & D-2010. Toshkent-2010.
5 5. Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Илиев Х.М., Мавлонов Г.Х., Саттаров О.Э. Влияние электрического поля, освещенности и температуры на отрицательное магнетосопротивление в кремнии легированного по методу «низкотемпературной диффузии» // ПЖТФ, 2010 г. т.36, В.16.
6 6. Таскин А.А., Тишковский Е.Г.. Образование комплексов, связанных с атомами селена, в кремнии. -ФТП, 2002, т.36, 641 (2002)
7 7. Таскин А.А., Тишковский Е.Г. Образование квазимолекул Se2 в кремнии, легированном селеном. -ФТП, 1998, т.32,№11.
Waiting