330

Показана возможность получения твердого раствора SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава, также получения путем управления их параметрами эффективного и доступного солнечного элемента на основе Si и его твердых растворов.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 21-07-2022
  • Read count 330
  • Date of publication 11-06-2020
  • Main LanguageRus
  • Pages19-23
Русский

Показана возможность получения твердого раствора SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава, также получения путем управления их параметрами эффективного и доступного солнечного элемента на основе Si и его твердых растворов.

Ўзбек

Қалай аралашма-эритмасидан суюқ фазали эпитаксия усули билан квант нуқтали (SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y қаттиқ аралашмани олиш, шунингдек, уларни бошқариш, Si ва унинг асосидаги қаттиқ қоришмалардан эффектив ва арзон қуёш эементини олиш усули кўрсатилди.

English

The possibility of obtaining the solid solution (SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y with quantum dots by liquid-phase epitaxy method from the tin solution-melt is shown, as well as controlling their production parameters, effective and accessible solar cell on basis of Si and its solid solutions.

№ Author name position Name of organisation
1 Yulchiev S.K. доцент Андижон давлат университети
№ Name of reference
1 Saidov A.S., Zainabidinov S.Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp 206-208.
2 Марончук И.Е., Марончук А.И., Кулюткина Т.Ф., Найденкова М.В., Чорный И.В. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/- № 12:- 97 (2005).
3 Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д., ФТП, 1998. 32, № 4. 385-411.
4 Рухленко, И.Д. Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры. Дис... канд. физ.-мат. наук, Санкт-Петербург: 2006. 157 с.
5 Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V. Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Том 10 № 1. С. 77-88.
6 Boboev A.Y. et al. Photoelectric proper tric properties of n-GaAs–p-(GaAs)1-x(Ge2) heterostructures with germanium nanocrystals. Scientific Bulletin of Namangan State University. 2020. Vol.2(1) pp. 58-62.
7 Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур.- М/: Физматлит: 2009.
8 Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Usmonov Sh.N. and Boboev A.Yu. Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 59–65.
Waiting