134

The article focuses on the photoelectric phenomena in semiconductors, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. The relationship between the recombination rate in semiconductors and the concentration of nonequilibrium charge carriers formed under the action of light has been explained. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers has  also been shown.

  • Read count 134
  • Date of publication 24-06-2022
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages34-38
English

В статье рассматриваются фотоэлектрические явления в полупроводниках, а также влияние примесных атомов и рекомбинационных процессов на фоточувствительность фотоэлементов. Разъяснена связь скорости рекомбинации в полупроводниках с концентрацией носителей неравновестного заряда, образующейся под воздействием света. Также показана зависимость времени жизни носителей заряда с расположением центров рекомбинации. 

Ўзбек

The article focuses on the photoelectric phenomena in semiconductors, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. The relationship between the recombination rate in semiconductors and the concentration of nonequilibrium charge carriers formed under the action of light has been explained. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers has  also been shown.

№ Author name position Name of organisation
1 Aliqulov M.N. 1 QarMII
№ Name of reference
1 Бочкараева Н.И., Ребане Ю.Т., Шритер Ю.Г. Рост скорости рекомбинации Шокли-Рида-Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции. //Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 12, с.1714-1719.
2 Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Y. Nonthreshold Auger recombination in quantum wells //Phys.Rev. B.American Physical Society, 1994. Vol. 49. №24. P.17130-17138.
3 Krishnamurthy S.,Berding M.A. Yu.Z.G. Minority carrier lifetimes in HgCdTe alloys// J/Electron. Mater.Springer-Verlag, 2006. Vol.35, №6, P.1369-1378.
4 Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transitions in p-type (Hg, Cd)Te// Solid State Commun. 1980. Vol.33, №6, P.615-619.
5 Iveland J., Piccardo M.,Martinelly L., Peretti J., ChoiJ.W., Young N., Nakamura S., Speck J.S., Weisbuch C. //Appl.Phus.Lett.,105,052103(2014).
6 Яковлева Н.И. Механизмы Оже-рекомбинации в узкозонных полупроводиноковых структурах HgCdTe. //Успехи прикладной физики, 2018, том 6, №2, с.130-139.
7 Alikulov M.N. The effect of recombination processes on the photosensitivity of semiconductor colar cells. Journal of Critical Reviews vol 7. 2020 pp. 66-69.
8 Аликулов М.Н. Зоналараро рекомбинация тезлигининг ярим ўтказгичлар зоналарининг тузилишига боғлиқлиги. “Инновацион технологиялар” журнали №3, Қарши 2020 йил, 36-39 бет.
Waiting