222

Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 24-11-2022
  • Read count 222
  • Date of publication 12-11-2020
  • Main LanguageRus
  • Pages27-35
Русский

Впервые разработана математишеская модель определения влияния поглощения микроволнового излушения на температурную зависимость осчиллячии Шубникова-де Гааза в полупроводниках. На основании предложенной математишеской модели выведены с использованием экспериментальных результатов осчиллячии поглощение микроволнового излушения в полупроводниковых структурах при высоких температурах

Ўзбек

Birinchi marta yarimo’tkazgichlarda Shubnikov-dе Gaaz ossillyasiyalarining haroratga bog’liqligiga mikroto’lqinli elеktromagnit maydon ta`sirini aniqlashning matеmatik modеli ishlab chiqilgan. Taklif etilayotgan modеlga asosan, yarimo’tkazgichli strukturalarda mikroto’lqinli maydon ta`siridagi ekspеrimеnt natijalari yuqori haroratlarda tushuntirish imkoni paydo bo’lgan

English

For the first time, a mathematical model has been developed to determine the effect of absorption of microwave radiation on the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas oscillations in semiconductors. Based on the proposed mathematical model, the absorption of microwave radiation in semiconductor structures at high temperatures was derived using the experimental oscillation results.

№ Author name position Name of organisation
1 Erkabayev U.I. fizika-matеmatika fanlari doktori, Namangan muhandislik – texnologiya instituti
2 Raximov R.G. katta o’qituvchi Namangan muhandislik texnologiyasi instituti
№ Name of reference
1 Alhun Aydin, Altug Sisman. Quantum oscillations in confined and degenerate Fermi gases. I. Half-vicinity model // Physics letters A. 2018. Vol.382. pp.1807-1812.
2 Klaus von Klitzing. 25 Years of quantum Hall effect (QHE): A personal view on the discovery, physics and applications of this quantum effect // Seminaries Poincare. 2004. Vol.2, pp.1-10.
3 Bagraev N.T., Grigoryev V.Yu., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Mashkov V.A., Romanov V.V., Rul` N.I. High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches // Low temperature physics, 2017. Vol.43, No.1, pp.132-142.
4 Kazuma Eto, Zhi Ren, Taskin A.A, Kouji Segawa, Yoichi Ando. Angular-dependent oscillations of the magnetoresistance in Bi2Se3 due to the three-dimensional bulk Fermi surface // Phys.Rev. В, 2010. Vol.81, Iss.19. pp.5309-5310.
5 Schoenberg D. Magnetic oscillations in metals. New York, Wiley. 1986. pp.350-400.
6 Veinger A.I., Kochman I.V., Okulov V.I., Andriichuk M.D., Paranchich L.D. Microwave magnetoabsorption oscillations in Fe- doped HgSe crystals // Semiconductors. 2018. Vol.52, Iss.8, pp.980-985.
7 ЭркабоевУ.И.Влияние температуры и давления на осчиллячионные явления в полупроводниках в квантующем магнитном поле: Дис. доктора философии (PhD) по физико-математишеским наукам – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2017.-144 с.
8 Гулямов‖ Г.,‖Шарибаев‖ Н.Ю.,‖ Эркабоев‖ У.И.‖ Температурная‖ зависимость‖ плотности‖ состояний‖в‖полупроводниках.‖Наманган.‖«Наманган»‖изд.‖2015.‖210‖С.
9 Bass F., Bochkov V.S., Gurevich Yu.G. Electrons and phonons in limited semiconductors. Moscow,‖‚Science‛.‖1984‖y.‖250‖P.
10 Чидилковский‖И.М.‖Электроны‖и‖дырки‖в‖полупроводниках.‖М.,‖«Наука»,‖1972,‖с.‖ 447
11 Anselm A.I. Introduction to the theory of semiconductors. (Nauka, Moscow, 1978), Ch. 8, pp.492.
12 Pässler‖R.‖Parameter‖sets‖due‖to‖fittings‖of‖the‖temperature‖dependencies‖of‖fundamental‖ band gaps in semiconductors // Phys.stat. sol.(b). 1999. Vol.216. pp.975-990
13 Капустин‖А.А.,‖Столяров‖В.С.,‖Божко‖С.И.,‖Борисенко‖Д.Н.,‖Колесников‖Н.Н.‖ Поверхностная‖природа‖квазидвумерных‖осчиллячий‖Шубникова-де‖Гааза‖в‖Bi2Te2Se // ЖЭТФ.‖2015.‖Т.148.‖вып.‖2(8).‖С.321-332
Waiting