50

Существующие в настоящее время технологические методы изготовления и полупроводниковые материалы, используемые при разработке эффективных фотоэлементов с максимальным коэффициентом полезного действия и стабильными параметрами, практически достигли своего предела. Для дальнейшего повышения основных параметров фотоэлементов необходимо использовать нетрадиционные полупроводниковые материалы или новые физические явления. Современное развитие микро- и оптоэлектроники вызывает интерес к синтезу новых материалов в виде тонкопленочных твердых растворов замещения, в том числе и на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6. Поскольку ширина запрещенной зоны и постоянная решетки таких соединений меняются в определенных пределах, то на их основе можно синтезировать полупроводниковые материалы с широким диапазоном электрических и фотоэлектрических свойств, получить сверхрешетки с квантовыми точками, разработать гетеропереходные структуры.

 

  • Web Address
  • DOIhttps://doi.org/10.5281/zenodo.10730318
  • Date of creation in the UzSCI system 16-04-2024
  • Read count 50
  • Date of publication 15-02-2024
  • Main LanguageRus
  • Pages58-65
Русский

Существующие в настоящее время технологические методы изготовления и полупроводниковые материалы, используемые при разработке эффективных фотоэлементов с максимальным коэффициентом полезного действия и стабильными параметрами, практически достигли своего предела. Для дальнейшего повышения основных параметров фотоэлементов необходимо использовать нетрадиционные полупроводниковые материалы или новые физические явления. Современное развитие микро- и оптоэлектроники вызывает интерес к синтезу новых материалов в виде тонкопленочных твердых растворов замещения, в том числе и на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6. Поскольку ширина запрещенной зоны и постоянная решетки таких соединений меняются в определенных пределах, то на их основе можно синтезировать полупроводниковые материалы с широким диапазоном электрических и фотоэлектрических свойств, получить сверхрешетки с квантовыми точками, разработать гетеропереходные структуры.

 

№ Name of reference
1 1. Cаидов А.С, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, К.А. Амонов. № 15 (137) 2013 2. Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Доклады Академии Наук РУз. №3, стр. 29- 32.2019. 3. Saidov A.S, Razzakov A., Risaeva V., Koshchanov E. Minerals Chemistry and Physics. Vol. 68. P. 1-6. 2001. 4. Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Холиков К.Т., Сапаров Д. Письма в ЖТФ. Т. 33, вып. 16. С. 59-64. 2001. 5. Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. Письма в ЖТФ. Т. 24, вып. 2. С. 12-16. 1998. 6. Н. Ф. Зикриллаев, О. Б. Турсунов, К. К. Курбоналиев, М. М. Шоабдурахимова. Физика полупроводников и микроэлектроника, том 2, вып. 2, с.15-19. 2020. 7. М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, О. Б. Турсунов. Молодой ученый, № 43 (281), с. 22- 26 2019. 8. Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаров Д., Холиков К.Т. ФТП. Т. 43, вып. 8. С. 1131-1136. 2009. 9. Саидов А.С., Саидов М.С., Усмонов Ш.Н., Асатова У.П. ФТП. Т. 44, вып. 7. С. 970-977. 2010. 10. Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Камалов К.У. Гелиотехника, №2, С. 3-5. 2014. 11. М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов. Журнал технической физики, том 91, вып. 11. 2021. 12. М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, А. А. Усмонов, Г. Х. Мавлонов. Неорганические материалы, том 58, № 1, с. 3–9. 2022. 13. М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. Физика и техника полупроводников, том 56, вып. 2 (199-203). 2022. 14. М.К. Бахадырханов, Г.Х. Мавлянов, С.Б. Исамов, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, З.М. Сапарниязова, С.А. Тачилин, Неорганические материалы, 47 (3), 545 (2011). 15. А.С. Саидов, А. Кутлимуратов, Б. Сапаев, У.Т. Давлатов, Письма в ЖТФ, 27 (8), 265 (2001).
Waiting