Maqolada turli belgilarga ega bo'lgan nopoklik atomlarining nanoklasterlari bilan kremniyning noyob funktsional imkoniyatlari taqdim etilgan. Ko'rsatilganki, klasterlarning tabiatiga qarab, IQ mintaqasiga nisbatan sezgirlikning spektral diapazonini kengaytirish va xona haroratida anomal yuqori manfiy magnit qarshilikka ega (Dr/r > 100%) kremniyni olish mumkin. Yarimo'tkazgichli materiallar panjarasida tabiati va kontsentratsiyasi har xil bo'lgan nopoklik atomlari klasterlarini shakllantirish noyob jismoniy xususiyatlarga ega bo'lgan ommaviy nanostrukturali kremniyni olishning yangi usuli hisoblanadi
Maqolada turli belgilarga ega bo'lgan nopoklik atomlarining nanoklasterlari bilan kremniyning noyob funktsional imkoniyatlari taqdim etilgan. Ko'rsatilganki, klasterlarning tabiatiga qarab, IQ mintaqasiga nisbatan sezgirlikning spektral diapazonini kengaytirish va xona haroratida anomal yuqori manfiy magnit qarshilikka ega (Dr/r > 100%) kremniyni olish mumkin. Yarimo'tkazgichli materiallar panjarasida tabiati va kontsentratsiyasi har xil bo'lgan nopoklik atomlari klasterlarini shakllantirish noyob jismoniy xususiyatlarga ega bo'lgan ommaviy nanostrukturali kremniyni olishning yangi usuli hisoblanadi
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Joʻrayev O.. | ! | Toshkent Davlat texnika universiteti |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 |
[1]Zakari M. Stochustic model of plusma waves for a zimple band stucture in semiconductors. PhysRevB. 1998-57,в.19 с.12145-12150. Стохостическая модель плазменных волн для данной структуры полупроводников. Прикладная физика, 2020, No 5. стр.80-85.[2]ЗикриллаевХ.Ф., АюповК.С., АбдуллаеваН.У1., СаитовЭ.Б. МамасалиевО.К. ЖураевО.Ш“Физическаямодельнизкочастотногоавтоколебаниятокавкомпенсированномкремнии” “Ilm-fan taraqqiyoti: muammolar, yechim va istiqbollar” mavzusidagi xorijiyolimlar ishtirokidagi Respublika ilmiy-amaliy konferensiya 2023[3]Лампер М., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. Москва 1973,с.416.[4]Жданова Н.Г. Каган М.С., Сурис Р.А. Фукс Б.И. Влияния монопалярной инжекции на высокочастотную проводимость компенсированных полупроводниках,-ФТП,1979,т.13, в.7, с.1314-1318.[5]Муравски Б.С. исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния ФТП,1962,т.4,в.9,с.2485-2486.[6]Прохьпенко В.Г. Повышение точности и стабильности ВАХ полупроводниковых источников отрицательного сопротивления. Микроэлектроника 1998,27.в.5.ст370-375.[7]Володин Н.М., Смертенко П.С., Федоренко Л.Л., Ханова А.В. Особенности ВАХ длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровня двойной инжекции. ФТП.1998.т.32.No12. с.1476-1481.[8]Sah C.T., Walker T.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carries traps in the edqe reqion of semiconductor junctions. Appl.Phys. Letters. 1973,v.22,N8,P.384-385[9]Elyor Saitov, Obid Jurayev, Sevara Axrorova, Jushqinbek Ismailov and Bakhtiyor Baymirzaev “Conversion and use of Solar Energy Calculation Methodology for Photovoltaic Systems” Proceedings of the 11th International Conference on Applied Innovations in IT, (ICAIIT), March 2023[10]ЗикриллаевХ.Ф., АюповК.С., АбдуллаеваН.У., УмарходжаеваЗ.Н., ХасанбаеваС.О., ЯхёевМ.М.,Саитов.Э.Б.,.Жураев.О.Ш. “Возможностисозданияавтоколебательнойсредывструктурахр¬+ -р(Si |