Обнаружено, что легирование полупроводниковой подложки атомами Rh и Ir ведет к увеличению значений плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2. Определено, что поверхностные состояния, обусловленные наличием примеси Rh и Ir, являются эффективными генерационными центрами
Обнаружено, что легирование полупроводниковой подложки атомами Rh и Ir ведет к увеличению значений плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2. Определено, что поверхностные состояния, обусловленные наличием примеси Rh и Ir, являются эффективными генерационными центрами
It was found that the doping of the semiconductor substrate with Rh and Ir atoms leads to the increase in the density of surface states at the Si - SiO2 interface.It is determined that the surface states, due to the presence of an impurity Rh and Ir are effective generation centers.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Mansurov X.J. | ||
| 2 | Daliev K.S. | Декан факультета | Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека |
| 3 | Yulchiev S.K. |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |