757
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2019, Том 1, выпуск 2 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 1 | ||
| Published At | 28/04/2019 | ||
| Pages | 70 | ||
| Issue Number | 2 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 10-15 | 594 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 470 | 0 |
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ С НАНОКЛАСТЕРАМИ НИКЕЛЯ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 22-26 | 542 | 0 |
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 27-35 | 560 | 0 |
|
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 461 | 0 |