380

В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы

  • Read count0
  • Date of publication27-04-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages36-40
Русский

В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы

English

This paper developed injection-voltaic transistor presents. The results research of the V-I characteristic of cascode injection-voltaic transistor.It is shown that the proposed transistor operates stably at values of the reverse voltage collector-base 2-3 times higher than single transistors

№ Author name position Name of organisation
1 Aripova Z.K. старший преподаватель TATU
2 Toshmatov S.T. PhD, докторант TATU
№ Name of reference
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
Waiting