294

В работе рассмотрено влияние ультразвуковых волн на фотоэлектрические и спектральные характеристики диффузионных Si-приемников электромагнитного излучения. Установлено, что при ультразвуковом облучении происходит увеличение времени жизни, диффузионной длины носителей и, как следствие, рост эффективности собирания носителей на электрические контакты Si-приемников. В результате этих процессов наблюдается повышение величины тока короткого замыкания, что вызывает рост напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия такой диффузионной Si-структуры, работающей в режиме фотопреобразования

  • Read count 0
  • Date of publication 28-04-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages41-47
Русский

В работе рассмотрено влияние ультразвуковых волн на фотоэлектрические и спектральные характеристики диффузионных Si-приемников электромагнитного излучения. Установлено, что при ультразвуковом облучении происходит увеличение времени жизни, диффузионной длины носителей и, как следствие, рост эффективности собирания носителей на электрические контакты Si-приемников. В результате этих процессов наблюдается повышение величины тока короткого замыкания, что вызывает рост напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия такой диффузионной Si-структуры, работающей в режиме фотопреобразования

English

The paper considers the influence of ultrasonic fields on the photoelectric and spectral characteristics of diffusion Si-receivers of electromagnetic radiation. It was found that ultrasonic irradiation increases the lifetime, diffusion length of carriers and, as a consequence, increases the efficiency of collecting carriers on the electrical contacts of Si-receivers. As a result of these processes, an increase in the value of the short-circuit current is observed, which causes an increase in the open circuit voltage and the efficiency of such a diffusion Si-structure operating in the photo reformation mode

№ Author name position Name of organisation
1 Gaibov A.G. доцент Toshkent Davlat texnika universiteti
2 Vakhobov K.I.
№ Name of reference
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
Waiting