В статье приводятся результаты анализа структуры, технологии получения и физико-химических свойств материалов, используемых для создания МОП-структур, основы производства электронных изделий и интегральных схем. Показано, что для получения МОП-структур с заданными свойствами необходим подбор вида материалов каждого из компонентов, оптимальные условия легирования их отдельными примесными элементами, которые позволяют получить структуры со спецификическими свойствами.
Мақолада электрон қурилмалар ва интеграл схемалар таркибини ташкил этувчи моддаларни тузилиши, олиниш технологиялари ва физикавий-кимёвий ҳусусиятлари ҳақидаги маълумотлар таҳлиллари келтирилган. Олдиндан белгиланган махсус ҳусусиятларга эга бўлган МОЯ турдаги қурилмаларни, улар асосида интеграл схемаларни хосил қилиш учун уларни таркибий қисми моддаларини мос холда танлаш, махсус киришма элементлари билан легирлашни оптимал шароитларини аниқлаш зарур эканлиги кўрсатилган.
В статье приводятся результаты анализа структуры, технологии получения и физико-химических свойств материалов, используемых для создания МОП-структур, основы производства электронных изделий и интегральных схем. Показано, что для получения МОП-структур с заданными свойствами необходим подбор вида материалов каждого из компонентов, оптимальные условия легирования их отдельными примесными элементами, которые позволяют получить структуры со спецификическими свойствами.
The article presents the results of the analysis of the structure, technologies and physical and chemical properties of materials used to create the MOS - structures of the basis of production of electronic products and integrated circuits. It is shown that to obtain MOS - structures with specified properties, it is necessary to select the type of materials for each component, the optimal conditions for alloying them with individual impurity elements, which allow obtaining structures with specific properties.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Boboyev A.Y. | Andijon davlat universiteti | |
| 2 | Yo'lchiyeva S.X. | Andijon davlat universiteti | |
| 3 | Abduazimov V.A. | Andijon davlat universiteti |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. Зайнобидинов С. Полупроводниковый кремний: современное состояние и перспектива. // Узб.физ.журнал.- 2005.- Т 7, в.4.- С.237-246 2. Технология СБИС. Под.ред. С.Зи. в 2-х книгах.- М.: Мир, 1986. 3. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике.- М.: Энергия, 1977.- 368 с. 4. Парчинский П.Б., Власов С.И. Генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. // Микроэлектроника.- 2001.- Т.30, №6.- С.403-406 5. Франкомб М.Х., Джонсон Дж. Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. // Тр.науч.конф. «Физика тонких пленок».- М., 1972 .- С. 140-145 6. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Насиров А.А. Неравновесные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик.- Т.: Университет, 1995.- 112 с. 7. Йулчиев Ш.Х. Влияние легированного кремния нетрадиционными примесями и ионизирующегооблучения на характеристики границы раздела Si-SiO2.Автореф. канд. дисс.- Андижан, 2003. |