745

Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 13-12-2019
  • Read count 705
  • Date of publication 15-11-2018
  • Main LanguageRus
  • Pages14-17
Ўзбек

Яримўтказгичли қуёш элементи токининг зичлигига хароратнинг таъсири ўрганилган. Фотогальваник характеристиканинг хароратга боғлиқлигини тушунтирувчи янги тенглама олинган.

Русский

Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.

English

The influence of temperature on effective value of density of the current of a semiconductor solar cell is investigated. New equation explaining the dependence of photogalvanic characteristics on temperature is obtained.

 

№ Name of reference
1 1. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы (теория и эксперимент), М.: Энергоатомиздат, 1987.- 278 с. 2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.- М.: Мир, 1984.- 456 с. 3. Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Алиев Р., Исманова О.Т., Ниязова О., Нуритдинова М.А. // Гелиотехника.- 2003.- №3.- С.19-22. 4. Алиев Р., Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т., Нуритдинова М.А.//Гелиотехника.- 2003.-№1.- С. 18-22. 5. Алиев Р. Алиназарова М. А., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т. // Гелиотехника.- 2009.- № 3.- С. 15-20. 6. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.- М.: Мир, 1980.- 208 с.
Waiting