В работе рассматривается влияние одноосного механического давления на концентрацию и подвижность носителей тока в кремнии, легированном золотом. Наблюдаемые изменения тензосопротивления объяснены перераспределением носителей тока в долинах границы зоны проводимости в легированном кремнии.
Мақолада бир тарафлама механик босимнинг олтин билан легирланган кремнийда ток ташувчилар ҳаракатчанлиги ва зичлигига таъсири ўрганилган. Тажрибаларда кузатилган тензоқаршиликнинг ўзгаришлари легирланган кремнийда ўтказувчанлик соҳаси чегаралари чуқурликларидаги ток ташувчиларнинг қайта тақсимланиши билан боғлиқ эканлиги кўрсатилган.
В работе рассматривается влияние одноосного механического давления на концентрацию и подвижность носителей тока в кремнии, легированном золотом. Наблюдаемые изменения тензосопротивления объяснены перераспределением носителей тока в долинах границы зоны проводимости в легированном кремнии.
In this article the author discusses the infl uence of uniaxial pressure on the concentration and mobility of charge carriers in silicon doped with gold. The observed changes in the tensor resistance explained the redistribution of the carriers in the valleys of the conduction band in doped silicon.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Mamatkarimov O.O. | Namangan muhandislik texnologiyasi instituti | |
| 2 | Tursunov I.G. | O'zbekiston Milliy universitet |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 |
1.Маматкаримов О. Тензоэлектрический эффект в кремнии с глубокими уровнями и в структурах на их основе. // Док.диссерт.2003.с.251. 2. S.Suthram, J.C.Ziegert, T.Nishida and S.E.Thompsonю Piezoresistance Coeffi cients of (100) Silicon nMOSFETs Measured at Low and High (~1.5 GPa) Channel Stress. IEEE electron device letters, vol. 28, no.1,2007. 3. Семенюк А.К., Федосов А.П. Пьезосопротивление n-Ge при наличие глубоких уровней. //ФТП. 1979. –т.13. – вып.5. – С.1001-1003. 4. Абдураимов А., Бахадырханов М.К., Турсунов О.О., Илиев Х.М. Пьезо и Холл эффекты в p-Si |