498

Приведены результаты исследования структурних свойств твердых растворов Si1-xSnx, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на pSi подложках. Вычислены значения упругих напряжений, образующихся за счет скопления олова и механических напряжений, с учетом образования дислокаций несоответствия. Сопоставлением полученных значений напряжений определено, что локальные области сжатияобразуются за счет упругих механических напряжений скоплениями олова, вследствие чего образуют дефекты типа дислокация несоответствия.
 

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 19-12-2019
  • Read count 483
  • Date of publication 05-05-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages18-21
Ўзбек

Maqolada suyuq fazali epitaksiya usulida pSi taglikka, chekli hajmli qalayli qorishma-eritmadan o’stirilgan Si1-xSnx qattiq eritmalarining strukturaviy xususiyatlarini o’rganish natijalari keltirilgan. Qalay atomlari uyushmalari hosil bo’lishida va o’zaro mos kelmovchi dislokatsiyalarning paydo bo’lishi sababli yuzaga keluvchi mexanik kuchlanishlarning qiymatlari hisoblangan. Olingan natijalarning tahlilidan qalay atomlari uyushmalari hosil bo’lishida yuzaga keluvchi elestik mexanik kuchlanish o’zaro mos kelmovchi dislokatsiyalarning paydo bo’lishiga sabab bo’lishi aniqlandi.

 

Русский

Приведены результаты исследования структурних свойств твердых растворов Si1-xSnx, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, из ограниченного объема оловянного раствора-расплава на pSi подложках. Вычислены значения упругих напряжений, образующихся за счет скопления олова и механических напряжений, с учетом образования дислокаций несоответствия. Сопоставлением полученных значений напряжений определено, что локальные области сжатияобразуются за счет упругих механических напряжений скоплениями олова, вследствие чего образуют дефекты типа дислокация несоответствия.
 

English

The results of studying the structural properties of Si1-xSnx solid solutions grown by liquid-phase epitaxy from a limited volume of a tin solution-melt on pSi substrates are presented. The values of elastic stresses formed due to tin clusters and mechanical stresses arecalculated, taking into account the formation of misfi t dislocations. By comparison of the values obtained, it is determined that the local compression regions formed due to elastic mechanical stresses by tin clusters, as a result of which defects form dislocation disparity.

 

№ Author name position Name of organisation
1 Madaminov X.M. katta o'qituvchi Andijon davlat universiteti
2 Ikromov A.S. o'qituvchi Andijon davlat universiteti
3 G'ulomov B..
№ Name of reference
1 1. Korolyuk Y.G., Deibuk V.G., Vyklyuk Ya.I. Optical properties of dicordeed diamond-like solid substitutional solutions Ge1−xSix, Ge1−xSnx, Si1−xSnx, Si1−xCx and their thin fi lms // Journal of physical studies. – 2004. – Vol. 8, №1. – P. 77 – 83. 2. Möck P., Lei Y., Topuria T., Browning N.D., Ragan R., Min K.S., Atwater H.A. Endotaxial growth mechanisms of Sn Quantum Dots in Si matrix // Materials Research Society Symposium Proceedings – 2003. – Vol. 770. – P. I1.7.1 – 1.7.4. 3. Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж. Твердые растворы (С 2 IV )1-х(АIIIBV)x, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Том. 36, № 11. – С. 1285 – 1293. 4. Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Kalanov M., Madaminov X.M. Structure and photoelectric properties of Si1-xSnx epiplayers // Technical physics letters. – 2010. – Vol. 36, No. 9. – P. 827 – 829. 5. Trumbore F.A., Isenberg C.R. and Porbansky E.M. On the temperature-dependence of the distribution coeffi cient: The solid solubilities of tin in silicon and germanium // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 1959. – Vol. 9. – P. 60. 6. Deibuk V.G., Korolyuk Yu.G. The eff ect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid fi lms // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2002. – Vol. 5, No 3. – P. 247 – 253. 7. Laurence J.E. Diff usion-induced stress and lattice disorders in silicon // Journal of the Electrochemical Society. – 1996. – Vol. 113. – P. 819. 8. Yagi K., Miyamoto N., Nishizawa J. Anomalous diff usion of phosphorus into silicon // Japanese Journal of Applied Physics. – 1970. – Vol. 9. – P. 246. 9. Prussin S.. Generation and distribution of dislocations by solute diff usion // Journal of Applied Physics. – 1961. – Vol. 32. – P. 1876.
Waiting