В работе исследовано влияние предварительной термообработки на поведение примесей 3d-элементов, специально вводимых для модификации свойств Si. Также обнаружено взаимодействие атомов 3d-элементов с технологическими примесями - кислородом и углеродом в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
В работе исследовано влияние предварительной термообработки на поведение примесей 3d-элементов, специально вводимых для модификации свойств Si. Также обнаружено взаимодействие атомов 3d-элементов с технологическими примесями - кислородом и углеродом в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
The influence of preliminary heat treatment on the behavior of impurities of 3d elements, specially introduced to modify the properties of Si, is investigated. The interaction of atoms of 3d elements with technological impurities-oxygen and carbon in Si, which are always present in the crystal lattice in high concentrations, was also found.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Utamuradova S.B. | Директор | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 2 | Fayzullaev K.M. | докторант PhD | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |