721
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 1 | ||
| Published At | 26/06/2019 | ||
| Pages | 76 | ||
| Issue Number | 3 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-15 | 434 | 0 |
|
РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ. МОДЕЛЬ ДРЕССЕЛЬХАУЗА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 16-21 | 423 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 21-29 | 494 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 30-36 | 462 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 43-49 | 508 | 0 |