Проведены исследования влияния буферного фронтального слоя на спектральную зависимость фоточувствительности гетероструктурных фотоприемников на основе поликристаллического полупроводникового бинарного соединения CdTe. Установлено, что в результате замены буферного слоя CdS на широкозонный полупроводниковый слой СdO, увеличивается спектральная фоточувствительность гетеропереходного фотоприемника на основе CdTe в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения
Проведены исследования влияния буферного фронтального слоя на спектральную зависимость фоточувствительности гетероструктурных фотоприемников на основе поликристаллического полупроводникового бинарного соединения CdTe. Установлено, что в результате замены буферного слоя CdS на широкозонный полупроводниковый слой СdO, увеличивается спектральная фоточувствительность гетеропереходного фотоприемника на основе CdTe в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения
The effect of the buffer frontal layer on the spectral dependence of the photosensitivity of heterostructured photo detectors based on a polycrystalline semiconductor binary compound CdTe was studied. It is established that as a result of replacing the CdS buffer layer with a wide-gap semiconductor CdO layer, the spectral photosensitivity of the CdTe-based heterojunction photodetector increases in the short-wavelength spectrum of electromagnetic radiation.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Kobulov R.R. | .ф.-м.н., старший научный сотрудник | НПО “Физика-Солнце” АН РУз |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |