В работе исследована радиационная стойкость силовых диодов Шоттки Cr-Si при гамма-облучении. Показана стабильность их параметров в широком диапазоне доз и возможность радиационно-стимулированного управления коэффициентами неидеальности таких диодов
В работе исследована радиационная стойкость силовых диодов Шоттки Cr-Si при гамма-облучении. Показана стабильность их параметров в широком диапазоне доз и возможность радиационно-стимулированного управления коэффициентами неидеальности таких диодов
The study concerns resistance to gamma-radiation damage of the power Schottky diodes Cr-Si. These diodes demonstrate parameters stability in the wide range of irradiation doses. Also radiation-induced shift of the non-ideality factor n had been revealed
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Tagaev M.B. | д.т.н., профессор | Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус |
| 2 | Abdikamalov B.A. | д.т.н., профессор | Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус |
| 3 | Statov V.A. | к.ф.-м.н., старший научный сотрудник | Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус |
| 4 | Bekbergenov S.E. | к.ф.-м.н., доцент | Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |