489

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 10-02-2020
  • Read count 0
  • Date of publication 26-08-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages
Tags
English

.  Предлагается модель р-n  перехода микронного размера, выращенного на подложке солнечного элемента (СЭ) из дешевого стабильно устойчивого технического (или металлургического) кремния. Эти СЭ с р-n  переходами микронного размера особенно эффективны в процессе массового производства солнечного электричества,  когда СЭ находится постоянно в агрессивных климатических условиях

English

A model of p-n transition of micron size grown on a solar cell (SС) substrate from low-cost stable technical (or metallurgical) silicon is proposed. These SС with p-n transitions of micron size are particularly effective in the process of mass production of solar electricity, when the SE is constantly in aggressive climatic conditions

№ Author name position Name of organisation
1 Muminov R.A. д.ф.-м.н., академик, заведующий лабораторией НПО “Физика-Солнце” АН РУз
2 Imamov E.Z. , д.ф.-м.н., профессор Ташкентский университет информационных технологий
3 Djalalov T.A. PhD ф.-м.н., старший научный сотрудник Ташкентский университет информационных технологий
4 Karimov K.N. Aмладший научный сотрудник Ташкентский университет информационных технологий
№ Name of reference
1 Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника
Waiting